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株式会社ULVAC开始销售离子修复设备。该设备是面向5G高频滤波器的,基于在SAW和BAW器件上形成的氧化硅膜和氮化硅膜的薄膜厚度数据,在亚纳米范围内控制薄膜厚度,实现±1.0nm以下的平坦度。
此新设备对应的工艺不仅限于氧化硅膜和氮化硅膜,还可以使用氟基气体来削薄钼等金属膜。除了SAW和BAW器件之外,也可以应用于其他使用wafer的工艺。
【ULVAC离子修复工艺的特点】
有两种类型的离子枪,一种是Ar气体,一种是氟基气体,可以针对器件提出适当的工艺建议。
① 适用于各种基板(Si、SiC、LN、LT)。
② ICP-Ion Gun(Ar气规格)SiO2、SiN、Mo膜的平坦度可小于1nm。
③ ICP-Ion Gun(氟基气体规格)改善AlN的Ra、可以减少使用光刻胶掩模进行器件处理时的光刻胶残留。
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