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为了提高个人电脑、智能手机等电子设备的性能,半导体芯片的高集成化技术备受关注。不断追求多功能化、小型化与低成本。但摩尔定律放缓,原有特征尺寸的等比例缩小的原则在未来的集成电路开发中不再完全适用。像现在这样的高集成化技术,今后继续发展下去,在技术方面和成本方面都是很困难的。
在这样的背景下,在芯片性能提升中,先进封装技术将扮演越来越重要的角色,保证质量更高的芯片连接以及更低的功耗,关系到产品的质量和竞争力。
ICEPT 2020于2020年8月12日至15日在广州科学城会议中心举行。作为国际上最著名的电子封装技术会议之一,会议得到了IEEE- EPS的全力支持和中国电子学会、中国科协的高度评价,已成为国际电子封装领域四大品牌会议之一。
今年,爱发科集团以『Fabrication of fine patterned structure for high-density Fan-Out Wafer Level Package using dry etching technology』为题,向ICEPT 2020投稿及发表,获得了Outstanding Paper Award。在本次报告中,我们报告了此前无法通过干法蚀刻来实现的在重新布线层中的高分子材料中形成微细通孔,以及连接上下器件的连接部分的简略化制程及相关工艺技术。
爱发科商贸左超部长代表爱发科集团在ICEPT2020演讲
在封装领域中,不仅使用诸如Photoresist这种知名度高的树脂材料,而且还使用诸如以聚酰亚胺为代表的高分子材料和混合了树脂和二氧化硅颗粒的环氧封装材料等各种材料。随着新材料的出现以及器件结构的微细化和复杂化,现有工艺(例如湿法蚀刻)无法处理的工艺数量正在增加。这次报告的内容因展示了使用等离子技术的高密度封装技术的未来潜力而受到赞誉。
在开发新工艺时,我们认为确定业界是否真正需要该工艺非常重要。为此,有必要从与我们有合作关系的客户、设备制造商、材料制造商和文献调查中收集和判断信息。通过这次在学术会议上获得该奖项,我们能够证明我们正在开发世界所需的工艺。接下来,我们将集中精力提高可实现该制程的NA(Asher)系列设备的完成度。
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