• 高产率以及低CoO

• 良好的刻蚀均一性（小于±5%/批）和再现性

• 干法刻蚀

• Damage-Free（远端等离子、低温工艺）

• 自对准接触电阻仅为湿法的1/2

• 灵活的装置布局

• 高维护性（方便的侧面维护）

• 300mm晶圆批处理：50枚/批

• 自对准接触形成工艺前处理

• 电镀工艺前处理

• 晶膜生长前处理

• Co/Ni自对准多晶硅化物的前处理