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•极端的次世代晶圆工艺必须的 1 x 1016atoms/cm2以上离子注入剥离工艺·PI去除工艺中,可实现低颗粒工艺。
• 添加F系气体工艺最适合的腔体构成,可对应低颗粒需求。因此,从普通PR到离子注入剥离、有机膜剥离(PI,DFR等)、氧化膜刻蚀等非常广泛的工艺均可对应。
• 采用简单的设备构成可同时实现“卓越的维修性·信赖性”。
• 有弹性的腔体构成选择(μ波、RIE、μ波+RIE),可实现丰富的搬送路经。
• 仅设定工艺菜单即可切换晶圆尺寸,晶圆尺寸变更非常容易实现。
• 前道后端工艺的离子注入剥离工艺(1 x 1016atoms/cm2以上)的PI除去
• 添加CF4工艺必要的晶圆工艺(电子部件・LED)
• 芯片级封装的BUMP工艺
• CCD颜色过滤膜的制造工艺