• 4inch晶圆可放置7片同时处理,6inch晶圆可实现3片同时处理,小尺寸晶圆方面,2inch晶圆可实现29片、3英寸可对应12片同时处理。
• 搭载了在化合物半导体领域拥有600台以上出货实绩的有磁场ICP(ISM)高密度等离子源。
• 高生产性(比以前提高140%)。
※1 爱发科专利第3188353号
• 为防止RF投入窗的污染搭载了爱发科星型电极。
※2 爱发科专利第3429391号
• 彻底贯彻Depo对策,实现了维护便利、长期稳定、高信赖性的硬件。
• 拥有丰富的工艺应用的干法刻蚀技术(GaN蓝宝石、各种metal、ITO、SiC、AlN、ZnO、4元系化合物半导体)。
• 丰富的可选机能。
• 对应LED的GaN、蓝宝石、各种金属、ITO等的干法刻蚀设备