面向LED量产专用干刻装置「NE-950EX」销售开始
—历年比达140%，生产性能提升—

爱发科株式会社（社长 諏訪秀則、总公司、神奈川县茅崎市）在化合物半导体及MEMS领域拥有诸多销售实绩的干刻装置「APIOS NE系列」，去年增加了LED量产专用干刻装置NE-950
后续机种的更新系列。总公司对这套历年比达140%，生产性能提升，面向LED量产专用的干刻装置「NE-950EX」的销售情况，进行了发表介绍。

[背景]
近年来，以发光二极管（LED : Light Emitting Diode）及半导体激光（LD : Laser Diode）为主的发光器件需求日益增高。LED不仅在景观灯或是电子光源信号灯以及探照灯照明、手机等中小型LCD背光源的需求持续扩大，甚至在大型LCD背光源、路灯及一般室内照明等市场也有在急剧扩张的趋势。在这样的背景下，LED市场到了2015年，仅只在日本国内也有1兆日元规模的预测。另外，在生产技术方面来看，随着市场规模扩大的同时，对器件低成本化的要求持续增强，如何让器件的制造成本降低、器件生产的生产效率提升的对策也日趋重要。
爱发科近年来随着市场的扩大，对于严格要求低成本化的LED市场，生产效率的提升成为了主要的目的。这套历年比达140%，对生产性能有显著提升的量产用干刻装置「APIOS NE-950EX」不但已经开始投入生产制造，12月份也开始出货了。「APIOS NE-950EX」不但能在化合物半导体市场上反应出积累丰富的工艺流程技巧，并且也能在量产线中体现出所具备的稳定性及信赖性的同时，配合市场需求达到高生产性能，是一套对成本控制表现极高的量产专用机。

[APIOS NE-950EX的特点]
高生产性能（与公司历年比140%的提升）
在LED制造上，如果使用相同装置的话，去年开始销售的干刻装置NE-950，目前作为LED量产的主流口径4英寸硅片的一次性干刻处理数量为5枚，而NE-950EX能让装置硅片的基板电极尺寸的大型化，能对7枚硅片做同时一次性处理，使4英寸硅片可以用枚叶的间歇式方式，达到历年比140%的高生产性能。还有，2英寸的多枚数一次性处理能从21枚增加到29枚，3英寸的能从9枚增加至11枚，即便是小口径的硅片也能有122~138%生产性能的提升。另外，如果将来6英寸化后，还可根据基板电极交换，一次性对3枚硅片进行处理。总公司对于从NE-950升级到NE-950EX能对应的既设装置性能的提升也非常重视，同时也对此进行了扩大销售。
高的成品率及信赖性
爱发科独自研发，以LED、LD为首的各种化合物半导体领域的干刻中获得好评的磁场感应式的有磁场ICP（ISM : Inductive Super Magnetron）的等离子源（专利第3188353号）也随着基板电极的大型化，改良成能对应等离子密度及均一性的大口径化。根据此一改良，刻蚀的凹陷值可达�５%以下＠E/E (Edge Exclusion) 2ｍｍ。这种等离子源的改良，能让硅片切片，达到最高的成品率。
在蓝紫色及蓝色、红色系的LED制造工程中使用GaN（氮化钾）及蓝宝石、4元系（AlGalnP）等作为刻蚀的特殊性，为了避免对工艺室的沉积物及对真空排气系等反应生成物的堆积，装置的安定开机率及工艺流程的再现性就成了很大的改善课题。对于这样的课题，作为RF导入口的防污对策，爱发科独自开发星型电池装置（专利第3429391号），对长年量产实绩到工艺室内壁的表面处理及温度控制、真空排的系沉积等提供相应对策，能让用户产生高度信赖。

面向将来生产性能更加提升的对策
爱发科会随着今后市场规模的扩大，继续朝着生产性能向上提升，改善开发的方向前进。其中，自动化的推进也是作为其中改善的一环。根据对应量产的在线通信机能、从硅片闸到托盘移栽机能的装置（自选），皆可作为包含硅片搬运的自动生产装置来使用。

[装置的销售及今后的预定]
爱发科在以发光器件为首的化合物半导体市场上具备综合的对策，开展了对干刻、真空蒸着装置、溅射装置、CVD装置等的解决方案，并开发了国内外许多用户。
2009年，预计NE-950EX要有15~20台（1亿1千万日币/台）的销售量，在化合物半导体领域内成为领导龙头，建立稳固的地位。
此装置，在Semicon JAPAN 2008（摊位号No.4D-1001）上，将有实机展示。